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<1μm精密气浮平台+微米级别陶瓷吸附平台
隐切工艺开发与技术攻克在进行中,集中于单晶硅,多晶硅,碳化硅和蓝宝石衬底材料进行研发

晶圆切割设备

<1μm精密气浮平台+微米级别陶瓷吸附平台
隐切工艺开发与技术攻克在进行中,集中于单晶硅,多晶硅,碳化硅和蓝宝石衬底材料进行研发
产品描述

晶圆切割设备

激光隐形切割是激光切割晶片的一种方案,很好地避免了砂轮雕刻的问题。激光隐身切割将脉冲激光的单脉冲通过光学成型,通过材料表面聚焦于材料内部,聚焦区域能量密度高,形成多光子吸收非线性吸收效应,导致材料变形出现裂纹。各激光脉冲等距作用可以形成等距损伤,在材料内部形成变质层。在变质层中,材料的分子结合被破坏,材料的连接减弱,容易分离。切割完成后,通过拉伸轴承膜完全分离产品,并在芯片和芯片之间形成间隙。这种加工方式避免了机器的直接接触和纯净水现象造成的破坏。目前,激光隐身切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅及多种化合物半导体晶圆。

 

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